收藏本站
型号：

IXSN35N120AU1

RoHS：无铅 / 符合
制造商：IXYS描述：IGBT 70A 1200V SOT-227B
详细参数
数值
产品分类 半导体模块 >> IGBT
IXSN35N120AU1 PDF
标准包装 10
系列 -
IGBT 类型 PT
配置 单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 1200V
Vge, Ic时的最大Vce（开） 4V @ 15V，35A
电流 - 集电极 (Ic)（最大） 70A
电流 - 集电极截止（最大） 750µA
Vce 时的输入电容 (Cies) 3.9nF @ 25V
功率 - 最大 300W
输入 标准
NTC 热敏电阻 无
安装类型 底座安装
封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装 SOT-227B
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关参数
SI4456DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC
SI1467DH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V SC-70-6
IP3088CX10,135 NXP Semiconductors IC FILTER LC 4CH ESD 10WLCSP
SI7178DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 60A PPAK 8SOIC
SI1467DH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V SC-70-6
SI7178DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 60A PPAK 8SOIC
CR4480-40 CR Magnetics Inc TRANSDCR CRRNT RMS AC 0-40AAC IN
SI5402BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 1206-8
SI7178DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 60A PPAK 8SOIC
IRF520PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
CR4480-75 CR Magnetics Inc TRANSDCR CRRNT RMS AC 0-75AAC IN
APT150GN60J Microsemi Power Products Group IGBT 600V 220A 536W SOT227
3781-24-5 Pomona Electronics CORD MINIGRABBER PATCH 24" GREEN
AML51-J11G Honeywell Sensing and Control LENS FOR INCAND DIPLAY AML41J
APT60GT60JR Microsemi Power Products Group IGBT 600V 93A 378W SOT227
IP4251CZ12-6-TTL,1 NXP Semiconductors IC EMI FILTER/ESD PROT 12HUSON
IXSN62N60U1 IXYS IGBT 90A 600V SOT-227B
CR4110-30 CR Magnetics Inc TRANSDUCER AC 0-30 AAC INPUT
E62-00H Cherry SWITCH LEVER SPDT 10A QC TERM
APT40GP60J Microsemi Power Products Group IGBT 600V 86A 284W SOT227